Для измерений трехмерной топологии и параметров микрорельефа поверхности конденсированных сред с атомарным разрешением, применяются в микро-, опто-, наноэлектронике, нанотехнологии, микромеханике, фармацевтике и микробиологии, производстве полимеров и генной инженерии, создании наноструктурных материалов, запоминающих сред, химии и химической технологии, металлургии, в лабораториях промышленных предприятий, научно-исследовательских и учебных организаций.
Диапазон измерений линейных размеров, мкм: в плоскости XY 0...90, по оси Z 0...10.
Погрешности, % соответственно +-1, +-5. |